IPG20N04S4L07ATMA1

Name: Infineon Technologies IPG20N04S4L07ATMA1
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.7 (17 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
8-PowerVDFN
MOSFET N-Channel 40V MOSFET
Date Sheet

Lagernummer 2650

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：12 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-PowerVDFN
Количество контактов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：2
Время отключения：50 ns
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Опубликовано：2010
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：8
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Максимальная потеря мощности：65W
Форма вывода：FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：not_compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Время задержки включения：9 ns
Мощность - Макс：65W
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：7.2m Ω @ 17A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.2V @ 30μA
Без галогенов：Halogen Free
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：3980pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：50nC @ 10V
Время подъема：4ns
Время падения (тип)：25 ns
Непрерывный ток стока (ID)：20A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：16V
Максимальное напряжение питания с двумя источниками：40V
Сопротивление открытого канала-макс：0.0072Ohm
Рейтинг энергии лавины (Eas)：230 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Contains Lead

Со склада 2650

Итого $0.00000