(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы SQJ960EP-T1_GE3
Изображение служит лишь для справки
SQJ960EP-T1_GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK SO T/R
Date Sheet
Lagernummer 2194
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：PowerPAK® SO-8 Dual
- Количество контактов：8
- Поставщик упаковки устройства：PowerPAK® SO-8 Dual
- Вес：506.605978mg
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：8A
- Количество элементов：1
- Время отключения：19 ns
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
- Опубликовано：2013
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Сопротивление：40mOhm
- Максимальная рабочая температура：175°C
- Минимальная температура работы：-55°C
- Максимальная потеря мощности：34W
- Каналов количество：2
- Конфигурация элемента：Dual
- Распад мощности：34W
- Время задержки включения：6 ns
- Мощность - Макс：34W
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：36mOhm @ 5.3A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：735pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：20nC @ 10V
- Время подъема：8ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
- Время падения (тип)：7 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：8A
- Пороговое напряжение：2V
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Входной ёмкости：735pF
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Сопротивление стока к истоку：30mOhm
- Rds на макс.：36 mΩ
- REACH SVHC：Unknown
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 2194
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
