
Изображение служит лишь для справки






TT8M1TR
-
ROHM Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-SMD, Flat Lead
- MOSFET N/P-CH 20V 2.5A TSST8
Date Sheet
Lagernummer 10
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:10 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-SMD, Flat Lead
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Количество элементов:2
- Рабочая температура:150°C TJ
- Пакетирование:Cut Tape (CT)
- Опубликовано:2010
- Код JESD-609:e2
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Not For New Designs
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:8
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:TIN COPPER
- Максимальная потеря мощности:1W
- Положение терминала:DUAL
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):10
- Число контактов:8
- Код JESD-30:R-PDSO-F8
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Мощность - Макс:1W
- Тип ТРВ:N and P-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:72m Ω @ 2.5A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id:1V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:260pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:3.6nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss):20V
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- Непрерывный ток стока (ID):2.5A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.09Ohm
- Минимальная напряжённость разрушения:20V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП:Logic Level Gate, 1.5V Drive
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 10
Итого $0.00000