Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы SQJ946EP-T1_GE3

Изображение служит лишь для справки






SQJ946EP-T1_GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- PowerPAK® SO-8 Dual
- MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
Date Sheet
Lagernummer 2425
- 1+: $0.79287
- 10+: $0.74799
- 100+: $0.70565
- 500+: $0.66571
- 1000+: $0.62803
Zwischensummenbetrag $0.79287
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:12 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:PowerPAK® SO-8 Dual
- Поверхностный монтаж:YES
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:15A Tc
- Количество элементов:2
- Рабочая температура:-55°C~175°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:4
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:unknown
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Код JESD-30:R-PSSO-G4
- Конфигурация:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Мощность - Макс:27W
- Тип ТРВ:2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:33m Ω @ 7A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:600pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:20nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):40V
- Максимальный сливовой ток (ID):15A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.033Ohm
- Максимальный импульсный ток вывода:40A
- Минимальная напряжённость разрушения:40V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):6 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП:Standard
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 2425
- 1+: $0.79287
- 10+: $0.74799
- 100+: $0.70565
- 500+: $0.66571
- 1000+: $0.62803
Итого $0.79287