IRFHM9331TRPBF

Name: Infineon Technologies IRFHM9331TRPBF
Brand: Infineon Technologies
Rating: 5 (14 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
8-PowerTDFN
MOSFET P-CH 30V 11A 8-PQFN
Date Sheet

Lagernummer 315

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：12 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-PowerTDFN
Количество контактов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：11A Ta 24A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V 20V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：2.8W Ta
Время отключения：72 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：HEXFET®
Опубликовано：2009
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：5
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：14.6MOhm
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Положение терминала：DUAL
Код JESD-30：S-PDSO-N5
Каналов количество：1
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：2.8W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：11 ns
Тип ТРВ：P-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：10m Ω @ 11A, 20V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.4V @ 25μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1543pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：48nC @ 10V
Время подъема：27ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
Угол настройки (макс.)：±25V
Время падения (тип)：60 ns
Непрерывный ток стока (ID)：-11A
Пороговое напряжение：-1.8V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：25V
Максимальный сливовой ток (ID)：24A
Напряжение пробоя стока к истоку：-30V
Максимальный импульсный ток вывода：90A
Рейтинг энергии лавины (Eas)：76 mJ
Максимальная температура перехода (Тj)：150°C
Высота：1mm
Длина：2.9972mm
Ширина：2.9972mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 315

Итого $0.00000