BSC160N15NS5ATMA1

Name: Infineon Technologies BSC160N15NS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
Rating: 5 (8 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
8-PowerTDFN
MOSFET N-CH 150V 56A 8TDSON
Date Sheet

Lagernummer 5000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：26 Weeks
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-PowerTDFN
Поверхностный монтаж：YES
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：56A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：8V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：96W Tc
Время отключения：10.8 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：OptiMOS™
Опубликовано：2013
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：5
Код ECCN：EAR99
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：not_compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Код JESD-30：R-PDSO-F5
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Каналов количество：1
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：96W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：9.6 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：16m Ω @ 28A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4.6V @ 60μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1820pF @ 75V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：23.1nC @ 10V
Угол настройки (макс.)：±20V
Непрерывный ток стока (ID)：56A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Напряжение пробоя стока к истоку：150V
Максимальный импульсный ток вывода：224A
Рейтинг энергии лавины (Eas)：43 mJ
Максимальная температура перехода (Тj)：150°C
Высота：1.1mm
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 5000

Итого $0.00000