(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные EPC2007C
Изображение служит лишь для справки
EPC2007C
-
EPC
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- Die
- GANFET TRANS 100V 6A BUMPED DIE
Date Sheet
Lagernummer 11437
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：Die
- Поставщик упаковки устройства：Die Outline (5-Solder Bar)
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：6A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：5V
- Рабочая температура：-40°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：eGaN®
- Опубликовано：2015
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная рабочая температура：150°C
- Минимальная температура работы：-40°C
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：30mOhm @ 6A, 5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 1.2mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：220pF @ 50V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：2.2nC @ 5V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：100V
- Угол настройки (макс.)：+6V, -4V
- Непрерывный ток стока (ID)：6A
- Входной ёмкости：220pF
- Rds на макс.：30 mΩ
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 11437
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
