SI7478DP-T1-E3

Name: Vishay Siliconix SI7478DP-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 4.5 (18 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
PowerPAK® SO-8
MOSFET 60V 20A 5.4W 7.5mohm @ 10V
Date Sheet

Lagernummer 6663

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：14 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：PowerPAK® SO-8
Количество контактов：8
Вес：506.605978mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：15A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：1.9W Ta
Время отключения：115 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：TrenchFET®
Опубликовано：2015
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：5
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：7.5mOhm
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：C BEND
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Число контактов：8
Код JESD-30：R-XDSO-C5
Каналов количество：1
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：1.9W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：25 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：7.5m Ω @ 20A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 250μA
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：160nC @ 10V
Время подъема：20ns
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：20 ns
Непрерывный ток стока (ID)：20A
Пороговое напряжение：3V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Напряжение пробоя стока к истоку：60V
Максимальный импульсный ток вывода：60A
Высота：1.04mm
Длина：4.9mm
Ширина：5.89mm
REACH SVHC：Unknown
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 6663

Итого $0.00000