STB13N60M2

Name: STMicroelectronics STB13N60M2
Brand: STMicroelectronics
Rating: 4.8 (19 reviews)

STMicroelectronics
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Date Sheet

Lagernummer 22000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Срок поставки от производителя：26 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：11A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：110W Tc
Время отключения：41 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Cut Tape (CT)
Серия：MDmesh™ II Plus
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：380mOhm
Форма вывода：GULL WING
Основной номер части：STB13N
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：110W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：11 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：380m Ω @ 5.5A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：580pF @ 100V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：17nC @ 10V
Время подъема：10ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：600V
Угол настройки (макс.)：±25V
Время падения (тип)：9.5 ns
Непрерывный ток стока (ID)：11A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：25V
Напряжение пробоя стока к истоку：650V
Максимальный импульсный ток вывода：44A
Рейтинг энергии лавины (Eas)：125 mJ
Высота：4.6mm
Длина：10.4mm
Ширина：9.35mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 22000

Итого $0.00000