Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BSS138K
Изображение служит лишь для справки
BSS138K
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23-3
Date Sheet
Lagernummer 51000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- Factory Lead Time：8 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Number of Pins：3
- Supplier Device Package：SOT-23-3
- Weight：30mg
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：220mA Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：1.8V 2.5V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：350mW Ta
- Turn Off Delay Time：60 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2013
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Resistance：1.6Ohm
- Max Operating Temperature：150°C
- Min Operating Temperature：-55°C
- Base Part Number：BSS138
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：350mW
- Turn On Delay Time：5 ns
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：1.6Ohm @ 50mA, 5V
- Vgs(th) (Max) @ Id：1.2V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：58pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：2.4nC @ 10V
- Rise Time：5ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：50V
- Vgs (Max)：±12V
- Fall Time (Typ)：35 ns
- Continuous Drain Current (ID)：220mA
- Threshold Voltage：600mV
- Gate to Source Voltage (Vgs)：12V
- Drain to Source Breakdown Voltage：50V
- Input Capacitance：58pF
- Drain to Source Resistance：1.6Ohm
- Rds On Max：1.6 Ω
- Nominal Vgs：600 mV
- Height：930μm
- Length：2.92mm
- Width：1.3mm
- REACH SVHC：No SVHC
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
Со склада 51000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты