Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные STY145N65M5

Изображение служит лишь для справки






STY145N65M5
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-247-3
- MOSFET N-CH 650V 138A MAX247
Date Sheet
Lagernummer 285
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Срок поставки от производителя:12 Weeks
- Покрытие контактов:Tin
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-247-3
- Количество контактов:247
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:138A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:625W Tc
- Время отключения:88 ns
- Рабочая температура:150°C TJ
- Пакетирование:Tube
- Серия:MDmesh™ V
- Код JESD-609:e3
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Основной номер части:STY145
- Код JESD-30:R-PSIP-T3
- Конфигурация элемента:Single
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:625W
- Время задержки включения:255 ns
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:15m Ω @ 69A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:18500pF @ 100V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:414nC @ 10V
- Время подъема:11ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):650V
- Угол настройки (макс.):±25V
- Время падения (тип):82 ns
- Непрерывный ток стока (ID):138A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):25V
- Напряжение пробоя стока к истоку:710V
- Максимальный импульсный ток вывода:552A
- Рейтинг энергии лавины (Eas):2420 mJ
- Высота:20.3mm
- Длина:15.9mm
- Ширина:5.3mm
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 285
Итого $0.00000