SIS443DN-T1-GE3

Name: Vishay Siliconix SIS443DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 4.5 (20 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
PowerPAK® 1212-8
MOSFET -40V .0117Ohm@10V 35A P-Ch G-III
Date Sheet

Lagernummer 31610

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：14 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：PowerPAK® 1212-8
Количество контактов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：35A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：3.7W Ta 52W Tc
Время отключения：48 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Cut Tape (CT)
Серия：TrenchFET®
Опубликовано：2013
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：5
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn) - annealed
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：C BEND
Код JESD-30：S-PDSO-C5
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Каналов количество：1
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：3.7W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：12 ns
Тип ТРВ：P-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：11.7m Ω @ 15A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：4370pF @ 20V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：135nC @ 10V
Время подъема：10ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：40V
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：10 ns
Непрерывный ток стока (ID)：-13.3A
Пороговое напряжение：-1V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Максимальный сливовой ток (ID)：0.035A
Напряжение пробоя стока к истоку：-40V
Максимальная температура перехода (Тj)：150°C
Высота：1.1684mm
REACH SVHC：Unknown
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 31610

Итого $0.00000