(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные DMN1019USN-7
Изображение служит лишь для справки
DMN1019USN-7
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Date Sheet
Lagernummer 45800
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：16 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Вес：7.994566mg
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：9.3A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：1.2V 2.5V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：680mW Ta
- Время отключения：22.2 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2014
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
- Капацитивность：2.426nF
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Код JESD-30：R-PDSO-G3
- Каналов количество：1
- Конфигурация элемента：Single
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Время задержки включения：7.6 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：10m Ω @ 9.7A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：800mV @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2426pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：50.6nC @ 8V
- Время подъема：57.6ns
- Угол настройки (макс.)：±8V
- Время падения (тип)：16.8 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：9.3A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：4.5V
- Напряжение пробоя стока к истоку：12V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 45800
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
