SI2312BDS-T1-GE3

Name: Vishay Siliconix SI2312BDS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 4.8 (19 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
Date Sheet

Lagernummer 16538

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：14 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов：3
Вес：1.437803g
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：3.9A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：1.8V 4.5V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：750mW Ta
Время отключения：35 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：TrenchFET®
Опубликовано：2013
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Завершение：SMD/SMT
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：31mOhm
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Число контактов：3
Каналов количество：1
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：750mW
Время задержки включения：9 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：31m Ω @ 5A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id：850mV @ 250μA
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：12nC @ 4.5V
Время подъема：30ns
Угол настройки (макс.)：±8V
Время падения (тип)：30 ns
Непрерывный ток стока (ID)：5A
Пороговое напряжение：8V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：8V
Напряжение пробоя стока к истоку：20V
Двухпитание напряжения：20V
Номинальное Vgs：8 V
Высота：1.02mm
Длина：3.04mm
Ширина：1.4mm
REACH SVHC：Unknown
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 16538

Итого $0.00000