(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SSM6H19NU,LF
Изображение служит лишь для справки
SSM6H19NU,LF
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 6-UDFN Exposed Pad
- MOSFET UDFN6 S-MOS TRSTR Pd: 0.5W F: 1MHz
Date Sheet
Lagernummer 6463
- 1+： $0.28344
- 10+： $0.26740
- 100+： $0.25226
- 500+： $0.23798
- 1000+： $0.22451
Zwischensummenbetrag $0.28344
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-UDFN Exposed Pad
- Количество контактов：6
- Поставщик упаковки устройства：6-UDFN (2x2)
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：2A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：1.8V 8V
- Максимальная мощность рассеяния：1W Ta
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Cut Tape (CT)
- Серия：U-MOSVII-H
- Опубликовано：2014
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Каналов количество：1
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：185mOhm @ 1A, 8V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.2V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：130pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：2.2nC @ 4.2V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：40V
- Угол настройки (макс.)：±12V
- Непрерывный ток стока (ID)：2A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：3.6V
- Входной ёмкости：130pF
- Сопротивление стока к истоку：160mOhm
- Rds на макс.：185 mΩ
- Высота：750μm
- Длина：2mm
- Ширина：2mm
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 6463
- 1+： $0.28344
- 10+： $0.26740
- 100+： $0.25226
- 500+： $0.23798
- 1000+： $0.22451
Итого $0.28344
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
