(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SSM3K123TU,LF
Изображение служит лишь для справки
SSM3K123TU,LF
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 3-SMD, Flat Lead
- MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM
Date Sheet
Lagernummer 654000
- 1+： $0.35534
- 10+： $0.33522
- 100+： $0.31625
- 500+： $0.29835
- 1000+： $0.28146
Zwischensummenbetrag $0.35534
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：3-SMD, Flat Lead
- Количество контактов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：4.2A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：1.5V 4V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：500mW Ta
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：U-MOSIII
- Опубликовано：2009
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Положение терминала：DUAL
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Каналов количество：1
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：28m Ω @ 3A, 4V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1010pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：13.6nC @ 4V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
- Угол настройки (макс.)：±10V
- Непрерывный ток стока (ID)：4.2A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：10V
- Минимальная напряжённость разрушения：20V
- Высота：700μm
- Длина：2mm
- Ширина：1.7mm
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 654000
- 1+： $0.35534
- 10+： $0.33522
- 100+： $0.31625
- 500+： $0.29835
- 1000+： $0.28146
Итого $0.35534
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
