(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы EFC6604R-TR
Изображение служит лишь для справки
EFC6604R-TR
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-XFBGA
- Dual N-Channel Power MOSFET, 12V, 13A, 9.0mO
Date Sheet
Lagernummer 1126020
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
- Срок поставки от производителя：30 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-XFBGA
- Количество контактов：6
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Количество элементов：2
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2016
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Код ECCN：EAR99
- Максимальная потеря мощности：1.6W
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：BALL
- Каналов количество：2
- Конфигурация элемента：Dual
- Режим работы：DEPLETION MODE
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Применение транзистора：SWITCHING
- Без галогенов：Halogen Free
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：29nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：12V
- Непрерывный ток стока (ID)：13A
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate, 2.5V Drive
- Сопротивление стока к истоку：9mOhm
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 1126020
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
