Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы BSL306NH6327XTSA1
![](https://static.whisyee.com/dimg/onsemiconductor-mmqa5v6t1g-6207.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
BSL306NH6327XTSA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 6TSOP
Date Sheet
Lagernummer 785
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:12 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Количество контактов:6
- Время отключения:8.3 ns
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
- Опубликовано:2011
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Код ECCN:EAR99
- Максимальная потеря мощности:500mW
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Время задержки включения:4.4 ns
- Мощность - Макс:500mW
- Тип ТРВ:2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:57m Ω @ 2.3A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2V @ 11μA
- Без галогенов:Halogen Free
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:275pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:1.6nC @ 5V
- Время подъема:2.3ns
- Время падения (тип):1.4 ns
- Непрерывный ток стока (ID):2.3A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):20V
- Максимальное напряжение питания с двумя источниками:30V
- Характеристика ТРП:Logic Level Gate, 4.5V Drive
- Высота:1mm
- Длина:2.9mm
- Ширина:1.6mm
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 785
Итого $0.00000