(0)
Изображение служит лишь для справки
AON6946
-
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-PowerVDFN
- MOSFET 2N-CH 30V 14A/18A 8DFN
Date Sheet
Lagernummer 38889
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：18 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerVDFN
- Количество контактов：8
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：14A 18A
- Количество элементов：2
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2011
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Максимальная потеря мощности：3.9W
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：FLAT
- Код JESD-30：R-PDSO-F6
- Конфигурация：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN SOURCE
- Мощность - Макс：3.5W 3.9W
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Half Bridge)
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：11.6m Ω @ 13A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.2V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：485pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：15nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Непрерывный ток стока (ID)：18A
- Максимальный сливовой ток (ID)：16A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.0116Ohm
- Максимальный импульсный ток вывода：64A
- Минимальная напряжённость разрушения：30V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：9 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 38889
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
