(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы DMN2016UFX-7
Изображение служит лишь для справки
DMN2016UFX-7
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 4-VFDFN Exposed Pad
- MOSFET BVDSS: 8V-24V V-DFN2050-4
Date Sheet
Lagernummer 33000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：22 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：4-VFDFN Exposed Pad
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：9.9A Ta
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Код JESD-609：e4
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Конечная обработка контакта：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
- Мощность - Макс：1.07W Ta
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：15m Ω @ 6.5A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：950pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：14nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：24V
- Характеристика ТРП：Standard
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 33000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
