NTGD3133PT1G

Name: ON Semiconductor NTGD3133PT1G
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.6 (14 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP
Date Sheet

Lagernummer 51815

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Количество контактов：6
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：2
Время отключения：13.2 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2006
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Максимальная потеря мощности：560mW
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Число контактов：6
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Dual
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：1.1W
Тип ТРВ：2 P-Channel (Dual)
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：145m Ω @ 2.2A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id：1.4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：400pF @ 10V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：5.5nC @ 4.5V
Время подъема：12.7ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Время падения (тип)：12.7 ns
Непрерывный ток стока (ID)：1.6A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：12V
Максимальный сливовой ток (ID)：2.5A
Сопротивление открытого канала-макс：0.145Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку：-20V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Состояние RoHS：RoHS Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 51815

Итого $0.00000