(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы MTI85W100GC-SMD
Изображение служит лишь для справки
MTI85W100GC-SMD
-
IXYS
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 17-SMD, Gull Wing
- IGBT MOD MOSFET SIXPACK ISOPLUS
Date Sheet
Lagernummer 38
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：28 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：17-SMD, Gull Wing
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：120A Tc
- Количество элементов：6
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Состояние изделия：Active
- Количество выводов：17
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：DUAL
- Код JESD-30：R-PDSO-G17
- Конфигурация：BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：ISOLATED
- Тип ТРВ：6 N-Channel (3-Phase Bridge)
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：4m Ω @ 80A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3.5V @ 150μA
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：88nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：100V
- Максимальный сливовой ток (ID)：110A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.00395Ohm
- Минимальная напряжённость разрушения：100V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Standard
Со склада 38
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
