(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы GWM180-004X2-SMD
Изображение служит лишь для справки
GWM180-004X2-SMD
-
IXYS
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 17-SMD, Gull Wing
- MOSFET 6N-CH 40V 180A 17-SMD
Date Sheet
Lagernummer 900
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：17-SMD, Gull Wing
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Количество элементов：6
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Опубликовано：2011
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：17
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：DUAL
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Число контактов：17
- Код JESD-30：R-XDSO-G17
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：ISOLATED
- Тип ТРВ：6 N-Channel (3-Phase Bridge)
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：2.5m Ω @ 100A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4.5V @ 1mA
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：110nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：40V
- Непрерывный ток стока (ID)：180A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.0025Ohm
- Минимальная напряжённость разрушения：40V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Standard
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 900
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
