APTC80DDA15T3G

Name: Microsemi Corporation APTC80DDA15T3G
Brand: Microsemi Corporation
Rating: 4.9 (12 reviews)

Microsemi Corporation
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
SP3
Trans MOSFET N-CH 800V 28A 32-Pin Case SP-3
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：36 Weeks
Монтаж：Chassis Mount, Screw
Вид крепления：Chassis Mount
Корпус / Кейс：SP3
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：2
Время отключения：83 ns
Рабочая температура：-40°C~150°C TJ
Пакетирование：Bulk
Код JESD-609：e1
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：25
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：TIN SILVER COPPER
Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
Максимальная потеря мощности：277W
Положение терминала：UPPER
Форма вывода：UNSPECIFIED
Число контактов：25
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：277W
Сокетная связка：ISOLATED
Время задержки включения：10 ns
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：150m Ω @ 14A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：3.9V @ 2mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：4507pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：180nC @ 10V
Время подъема：13ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：800V
Время падения (тип)：35 ns
Непрерывный ток стока (ID)：28A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
Сопротивление открытого канала-макс：0.15Ohm
Максимальный импульсный ток вывода：110A
Минимальная напряжённость разрушения：800V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：670 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Standard
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：RoHS Compliant

Со склада 0

Итого $0.00000