Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы APTM50HM75FTG
Изображение служит лишь для справки
APTM50HM75FTG
- Microsemi Corporation
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- SP4
- Trans MOSFET N-CH 500V 46A 20-Pin Case SP-4
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:36 Weeks
- Монтаж:Chassis Mount, Screw
- Вид крепления:Chassis Mount
- Корпус / Кейс:SP4
- Количество контактов:4
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Количество элементов:4
- Время отключения:87 ns
- Рабочая температура:-40°C~150°C TJ
- Пакетирование:Bulk
- Опубликовано:2006
- Код JESD-609:e1
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:14
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:TIN SILVER COPPER
- Дополнительная Характеристика:AVALANCHE RATED
- Максимальная потеря мощности:357W
- Положение терминала:UPPER
- Форма вывода:UNSPECIFIED
- Число контактов:14
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:357W
- Сокетная связка:ISOLATED
- Время задержки включения:18 ns
- Тип ТРВ:4 N-Channel (H-Bridge)
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:90m Ω @ 23A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:5V @ 2.5mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:5600pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:123nC @ 10V
- Время подъема:35ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):500V
- Время падения (тип):77 ns
- Непрерывный ток стока (ID):46A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):30V
- Сопротивление открытого канала-макс:0.09Ohm
- Минимальная напряжённость разрушения:500V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):2500 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП:Standard
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:RoHS Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000