Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы GMM3X60-015X2-SMDSAM
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
GMM3X60-015X2-SMDSAM
-
IXYS
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- ISOPLUS-DIL™
- MOSFET 6N-CH 150V 50A 24-SMD
Date Sheet
Lagernummer 31
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:30 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:ISOPLUS-DIL™
- Рабочая температура:-55°C~175°C TJ
- Пакетирование:Tray
- Опубликовано:2012
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Тип ТРВ:6 N-Channel (3-Phase Bridge)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:24m Ω @ 38A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:4.5V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:5800pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:97nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):150V
- Непрерывный ток стока (ID):50A
- Характеристика ТРП:Standard
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 31
Итого $0.00000