Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
GWS9294
-
Renesas Electronics America Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 4-VDFN
- MOSFET 2 N-CH 20V 10.1A 4QFN
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:4-VDFN
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:10.1A Ta
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tube
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):3 (168 Hours)
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Мощность - Макс:3.6W
- Тип ТРВ:2 N-Channel (Dual) Common Drain
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:13m Ω @ 6.5A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id:1.5V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:900pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:11nC @ 4V
- Напряжение стока-исток (Vdss):20V
- Характеристика ТРП:Standard
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000