Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы DMNH4015SSDQ-13
![](https://static.whisyee.com/dimg/diodesincorporated-d58v0m4u8mr13-7151.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
DMNH4015SSDQ-13
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET ARRAY N-CH 40V 8.6A 8SOIC
Date Sheet
Lagernummer 3024
- 1+: $0.98887
- 10+: $0.93290
- 100+: $0.88009
- 500+: $0.83028
- 1000+: $0.78328
Zwischensummenbetrag $0.98887
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:21 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:8.6A Ta
- Рабочая температура:-55°C~175°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Мощность - Макс:1.4W 2W
- Тип ТРВ:2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:15m Ω @ 12A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:3V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1938pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:33nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):40V
- Характеристика ТРП:Standard
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 3024
- 1+: $0.98887
- 10+: $0.93290
- 100+: $0.88009
- 500+: $0.83028
- 1000+: $0.78328
Итого $0.98887