(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы FDS8958B_G
Изображение служит лишь для справки
FDS8958B_G
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/4.5A 8SO
Date Sheet
Lagernummer 6980
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：6.4A 4.5A
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：PowerTrench®
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Мощность - Макс：900mW
- Тип ТРВ：N and P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：26m Ω @ 6.4A, 10V, 51m Ω @ 4.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：540pF @ 15V 760pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：5.8nC @ 4.5V, 9.6nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Характеристика ТРП：Standard
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 6980
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
