Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы FDS6982AS_G
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
FDS6982AS_G
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET 2 N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SO
Date Sheet
Lagernummer 647
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Поставщик упаковки устройства:8-SO
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:6.3A 8.6A
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:PowerTrench®, SyncFET™
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Мощность - Макс:900mW
- Тип ТРВ:2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:28mOhm @ 6.3A, 10V, 13.5mOhm @ 8.6A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:3V @ 250μA, 3V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:610pF @ 10V 1250pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:9nC @ 5V, 16nC @ 5V
- Напряжение стока-исток (Vdss):30V
- Характеристика ТРП:Standard
- Состояние RoHS:RoHS Compliant
Со склада 647
Итого $0.00000