Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы ECH8601M-TL-H-P
![](https://static.whisyee.com/dimg/onsemiconductor-tnd524vstlh-6437.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
ECH8601M-TL-H-P
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-SMD, Flat Lead
- MOSFET 2N-CH
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-SMD, Flat Lead
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:8A Ta
- Рабочая температура:150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2013
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Тип ТРВ:2 N-Channel (Dual) Common Drain
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:23m Ω @ 4A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id:1.3V @ 1mA
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:7.5nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss):24V
- Характеристика ТРП:Logic Level Gate, 2.5V Drive
Со склада 0
Итого $0.00000