Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы DMP2160UFDB-7
![](https://static.whisyee.com/dimg/diodesincorporated-ap9050fdb7-4807.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
DMP2160UFDB-7
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-UDFN Exposed Pad
- MOSFET 20V 3.8A DUAL P-CHAN
Date Sheet
Lagernummer 177158
- 1+: $0.52204
- 10+: $0.49249
- 100+: $0.46462
- 500+: $0.43832
- 1000+: $0.41351
Zwischensummenbetrag $0.52204
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:6 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:6-UDFN Exposed Pad
- Количество контактов:6
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Количество элементов:2
- Время отключения:55.34 ns
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2012
- Код JESD-609:e4
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:6
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Дополнительная Характеристика:HIGH RELIABILITY
- Максимальная потеря мощности:1.4W
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):40
- Число контактов:6
- Конфигурация элемента:Dual
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:1.4W
- Время задержки включения:11.51 ns
- Тип ТРВ:2 P-Channel (Dual)
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:70m Ω @ 2.8A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id:900mV @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:536pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:6.5nC @ 4.5V
- Время подъема:12.09ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):20V
- Время падения (тип):12.09 ns
- Непрерывный ток стока (ID):3.8A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):12V
- Сопротивление открытого канала-макс:0.07Ohm
- Напряжение пробоя стока к истоку:-20V
- Максимальный импульсный ток вывода:13A
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП:Logic Level Gate
- Высота:750μm
- Длина:2mm
- Ширина:2mm
- REACH SVHC:No SVHC
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 177158
- 1+: $0.52204
- 10+: $0.49249
- 100+: $0.46462
- 500+: $0.43832
- 1000+: $0.41351
Итого $0.52204