Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы SIA915DJ-T4-GE3
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
SIA915DJ-T4-GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- PowerPAK® SC-70-6 Dual
- MOSFET 2P-CH 30V SC70-6
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:PowerPAK® SC-70-6 Dual
- Поставщик упаковки устройства:PowerPAK® SC-70-6 Dual
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:3.7A Ta 4.5A Tc
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Серия:TrenchFET®
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Мощность - Макс:1.9W Ta 6.5W Tc
- Тип ТРВ:2 P-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:87mOhm @ 2.9A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.2V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:275pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:9nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):30V
- Характеристика ТРП:Standard
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000