Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы BUK9MGP-55PTS,518
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
BUK9MGP-55PTS,518
-
Nexperia USA Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 20-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
- 9648 MISC TRENCHFET
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:20-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
- Вид крепления:Surface Mount
- Количество контактов:20
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:16.9A Tc 9.16A Tc
- Серия:TrenchPLUS
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Мощность - Макс:5.2W Tc 3.9W Tc
- Тип ТРВ:2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:9m Ω @ 10A, 10V, 22.6m Ω @ 5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:5178pF @ 25V 2315pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:54nC @ 5V, 23nC @ 5V
- Максимальное напряжение питания с двумя источниками:55V
- Характеристика ТРП:Logic Level Gate
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000