(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы CTLDM8120-M832DS TR
Изображение служит лишь для справки
CTLDM8120-M832DS TR
-
Central Semiconductor Corp
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-TDFN Exposed Pad
- MOSFET DUAL N-CHANNEL
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-TDFN Exposed Pad
- Поверхностный монтаж：YES
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：860mA Ta
- Рабочая температура：-65°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Код соответствия REACH：compliant
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Мощность - Макс：1.65W
- Тип ТРВ：2 P-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：150m Ω @ 950mA, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：200pF @ 16V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：3.56nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
- Максимальный сливовой ток (ID)：0.86A
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：1.65W
- Характеристика ТРП：Standard
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
