(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы UPA2352T1P-E4-A
Изображение служит лишь для справки
UPA2352T1P-E4-A
-
Renesas Electronics America
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 4-XFLGA
- MOSFET N-CH DUAL LGA
Date Sheet
Lagernummer 372034
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：4-XFLGA
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：4A Ta
- Количество элементов：2
- Рабочая температура：150°C
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：4
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：BALL
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：4
- Код JESD-30：S-PBGA-B4
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Мощность - Макс：750mW Ta
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual) Common Drain
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：43m Ω @ 2A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.5V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：330pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：5.7nC @ 4V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：24V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate, 2.5V Drive
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 372034
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
