Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SQS401EN-T1_GE3

Изображение служит лишь для справки






SQS401EN-T1_GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- PowerPAK® 1212-8
- P-Channel 40 V 29 mOhm 62.5 W 21.2 nC SMT Automotive Mosfet - PowerPAK® 1212-8
Date Sheet
Lagernummer 722
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:12 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:PowerPAK® 1212-8
- Поставщик упаковки устройства:PowerPAK® 1212-8
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:16A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V 10V
- Максимальная мощность рассеяния:62.5W Tc
- Рабочая температура:-55°C~175°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:TrenchFET®
- Опубликовано:2016
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Максимальная рабочая температура:175°C
- Минимальная температура работы:-55°C
- Тип ТРВ:P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:29mOhm @ 12A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1875pF @ 20V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:21.2nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss):40V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Сопротивление стока к истоку:20mOhm
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 722
Итого $0.00000