2N7000-G

Name: Microchip Technology 2N7000-G
Brand: Microchip Technology
Rating: 4.9 (6 reviews)

Microchip Technology
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
MOSFET,N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE,60V,5 Ohm3 TO-92BAG
Date Sheet

Lagernummer 1000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：6 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Количество контактов：3
Вес：453.59237mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：200mA Tj
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：1W Tc
Время отключения：10 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Bulk
Опубликовано：2008
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Дополнительная Характеристика：HIGH INPUT IMPEDANCE
Ток постоянного напряжения - номинальный：60V
Положение терминала：BOTTOM
Моментальный ток：200mA
Каналов количество：1
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：1W
Время задержки включения：10 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：5 Ω @ 500mA, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 1mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：60pF @ 25V
Угол настройки (макс.)：±30V
Непрерывный ток стока (ID)：200mA
Пороговое напряжение：800mV
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
Максимальный сливовой ток (ID)：0.2A
Сопротивление открытого канала-макс：5Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку：60V
Обратная ёмкость-Макс (Crss)：5 pF
Высота：5.334mm
Длина：5.21mm
Ширина：4.19mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 1000

Итого $0.00000