Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NTMFS4C03NT1G

Изображение служит лишь для справки






NTMFS4C03NT1G
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerTDFN
- Single N-Channel Power MOSFET 30V, 136A, 2.1mO
Date Sheet
Lagernummer 26066
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
- Срок поставки от производителя:16 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-PowerTDFN
- Количество контактов:8
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:30A Ta 136A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V 10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:3.1W Ta 64W Tc
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2014
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:5
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:not_compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Код JESD-30:R-PDSO-F5
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:2.1m Ω @ 30A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.2V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:3071pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:45.2nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):30V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Непрерывный ток стока (ID):136A
- Максимальный импульсный ток вывода:900A
- Минимальная напряжённость разрушения:30V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):549 mJ
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 26066
Итого $0.00000