IPB60R190C6ATMA1

Name: Infineon Technologies IPB60R190C6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.7 (15 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO263
Date Sheet

Lagernummer 1128

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：8 Weeks
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Поверхностный монтаж：YES
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：20.2A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：151W Tc
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：CoolMOS™
Опубликовано：2008
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：no
Состояние изделия：Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：not_compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Число контактов：4
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：190m Ω @ 9.5A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：3.5V @ 630μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1400pF @ 100V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：63nC @ 10V
Напряжение стока-исток (Vdss)：600V
Угол настройки (макс.)：±20V
Максимальный сливовой ток (ID)：20.2A
Сопротивление открытого канала-макс：0.19Ohm
Максимальный импульсный ток вывода：59A
Минимальная напряжённость разрушения：600V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：418 mJ
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 1128

Итого $0.00000