(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные R8005ANJFRGTL
Изображение служит лишь для справки
R8005ANJFRGTL
-
ROHM Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- R8005ANJ FRG IS A POWER MOSFET W
Date Sheet
Lagernummer 50000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：23 Weeks
- Поверхностный монтаж：YES
- Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Вид крепления：Surface Mount
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：5A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：120W Tc
- Количество элементов：1
- Серия：Automotive, AEC-Q101
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Рабочая температура：150°C TJ
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：2
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：2.1 Ω @ 2.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：500pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：20nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：800V
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Максимальный сливовой ток (ID)：5A
- Максимальный импульсный ток вывода：10A
- Минимальная напряжённость разрушения：800V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：1.66 mJ
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 50000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
