FDB024N08BL7

Name: ON Semiconductor FDB024N08BL7
Brand: ON Semiconductor
Rating: 5 (9 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
Trans MOSFET N-CH 80V 229A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Date Sheet

Lagernummer 20000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Срок поставки от производителя：16 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
Количество контактов：7
Вес：1.312g
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：120A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：246W Tc
Время отключения：87 ns
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：PowerTrench®
Опубликовано：2014
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：245
Код JESD-30：R-PSSO-G6
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：246W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：47 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：2.4m Ω @ 100A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：13530pF @ 40V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：178nC @ 10V
Время подъема：66ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：80V
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：41 ns
Непрерывный ток стока (ID)：229A
Код JEDEC-95：TO-263CB
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Сопротивление открытого канала-макс：0.0024Ohm
Минимальная напряжённость разрушения：80V
Высота：4.7mm
Длина：10.2mm
Ширина：9.4mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 20000

Итого $0.00000