(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные PSMN4R3-100PS,127
Изображение служит лишь для справки
PSMN4R3-100PS,127
-
Nexperia USA Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3
- MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Date Sheet
Lagernummer 82
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Покрытие контактов：Tin
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-220-3
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество контактов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：120A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：338W Tc
- Время отключения：122 ns
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Опубликовано：2011
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Число контактов：3
- Конфигурация элемента：Single
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：338W
- Сокетная связка：DRAIN
- Время задержки включения：45 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：4.3m Ω @ 25A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：9900pF @ 50V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：170nC @ 10V
- Время подъема：91ns
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Время падения (тип)：63 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：120A
- Код JEDEC-95：TO-220AB
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Максимальное напряжение питания с двумя источниками：100V
- Напряжение пробоя стока к истоку：100V
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 82
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
