Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SIHG25N40D-E3
Изображение служит лишь для справки
SIHG25N40D-E3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-247-3
- MOSFET N-CH 400V 25A TO-247AC
Date Sheet
Lagernummer 309
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Factory Lead Time：13 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-247-3
- Number of Pins：3
- Weight：38.000013g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：25A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：278W Tc
- Turn Off Delay Time：40 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Published：2011
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- Number of Channels：1
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：21 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：170m Ω @ 13A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1707pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：88nC @ 10V
- Rise Time：57ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：400V
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：37 ns
- Continuous Drain Current (ID)：25A
- JEDEC-95 Code：TO-247AC
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：78A
- DS Breakdown Voltage-Min：400V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：556 mJ
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
Со склада 309
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты