(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SIHD4N80E-GE3
Изображение служит лишь для справки
SIHD4N80E-GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET N-CHAN 800V FP TO-252
Date Sheet
Lagernummer 1816
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：18 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Поставщик упаковки устройства：D-PAK (TO-252AA)
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：4.3A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：69W Tc
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Bulk
- Серия：E
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.27Ohm @ 2A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：622pF @ 100V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：32nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：800V
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Сопротивление стока к истоку：1.1Ohm
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 1816
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
