Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные STP18N65M5
Изображение служит лишь для справки
STP18N65M5
- STMicroelectronics
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3
- MOSFET N-CH 650V 15A TO-220
- Date Sheet
Lagernummer 905
- 1+: $3.16291
- 10+: $2.98388
- 100+: $2.81498
- 500+: $2.65564
- 1000+: $2.50532
Zwischensummenbetrag $3.16291
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Срок поставки от производителя:17 Weeks
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-220-3
- Количество контактов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:15A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:110W Tc
- Время отключения:36 ns
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tube
- Серия:MDmesh™ V
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Сопротивление:220mOhm
- Основной номер части:STP18N
- Конфигурация элемента:Single
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:110W
- Сокетная связка:DRAIN
- Время задержки включения:36 ns
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:220m Ω @ 7.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1240pF @ 100V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:31nC @ 10V
- Угол настройки (макс.):±25V
- Непрерывный ток стока (ID):15A
- Код JEDEC-95:TO-220AB
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):25V
- Напряжение пробоя стока к истоку:650V
- Максимальный импульсный ток вывода:60A
- Высота:15.75mm
- Длина:10.4mm
- Ширина:4.6mm
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 905
- 1+: $3.16291
- 10+: $2.98388
- 100+: $2.81498
- 500+: $2.65564
- 1000+: $2.50532
Итого $3.16291