(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные RS1E150GNTB
Изображение служит лишь для справки
RS1E150GNTB
-
ROHM Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerTDFN
- MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSOP
Date Sheet
Lagernummer 22332
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：20 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerTDFN
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：15A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：3W Ta 22.9W Tc
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2013
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：5
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Код JESD-30：R-PDSO-F5
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：8.8m Ω @ 15A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：590pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：10nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Максимальный сливовой ток (ID)：15A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.0114Ohm
- Максимальный импульсный ток вывода：60A
- Минимальная напряжённость разрушения：30V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 22332
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
