(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SSM6J503NU,LF
Изображение служит лишь для справки
SSM6J503NU,LF
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 6-WDFN Exposed Pad
- MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
Date Sheet
Lagernummer 500
- 1+： $0.35494
- 10+： $0.33485
- 100+： $0.31590
- 500+： $0.29802
- 1000+： $0.28115
Zwischensummenbetrag $0.35494
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：16 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-WDFN Exposed Pad
- Количество контактов：6
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：6A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：1.5V 4.5V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：1W Ta
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：U-MOSVI
- Опубликовано：2004
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Распад мощности：1W
- Тип ТРВ：P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：32.4m Ω @ 3A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：840pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：12.8nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
- Угол настройки (макс.)：±8V
- Непрерывный ток стока (ID)：6A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：8V
- Напряжение пробоя стока к истоку：-20V
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 500
- 1+： $0.35494
- 10+： $0.33485
- 100+： $0.31590
- 500+： $0.29802
- 1000+： $0.28115
Итого $0.35494
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
