(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные TPN11003NL,LQ
Изображение служит лишь для справки
TPN11003NL,LQ
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerVDFN
- MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 19W 510pF 31A 30V
Date Sheet
Lagernummer 40
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerVDFN
- Количество контактов：8
- Поставщик упаковки устройства：8-TSON Advance (3.3x3.3)
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：11A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
- Максимальная мощность рассеяния：700mW Ta 19W Tc
- Время отключения：14 ns
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：U-MOSVIII-H
- Опубликовано：2014
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная рабочая температура：150°C
- Минимальная температура работы：-55°C
- Каналов количество：1
- Время задержки включения：7.5 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：11mOhm @ 5.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.3V @ 100μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：660pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：7.5nC @ 10V
- Время подъема：2.1ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Время падения (тип)：1.9 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：11A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Напряжение пробоя стока к истоку：30V
- Входной ёмкости：660pF
- Сопротивление стока к истоку：12.6mOhm
- Rds на макс.：11 mΩ
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 40
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
