(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SCTW90N65G2V
Изображение служит лишь для справки
SCTW90N65G2V
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-247-3
- SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Date Sheet
Lagernummer 12
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-247-3
- Поверхностный монтаж：NO
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：90A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：18V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：390W Tc
- Рабочая температура：-55°C~200°C TJ
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Положение терминала：SINGLE
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Основной номер части：SCTW90
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：25m Ω @ 50A, 18V
- Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：3300pF @ 400V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：157nC @ 18V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：650V
- Угол настройки (макс.)：+22V, -10V
- Максимальный сливовой ток (ID)：110A
- Максимальный импульсный ток вывода：220A
- Минимальная напряжённость разрушения：650V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 12
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
